Tietoja Sibranch Microelectronicsista
Sibranch Microelectronics perustettiin vuonna 2006, ja sen pääkonttori sijaitsee Ningbossa, Kiinassa. Sen perusti materiaalitieteen asiantuntijoita, joilla on syvät juuret puolijohdeteollisuudessa. Missiomme on toimittaa korkealaatuisia puolijohdekiekkoja ja niihin liittyviä palveluita asiakkaille maailmanlaajuisesti.
Tuotevalikoimamme
Olemme erikoistuneet kattavaan piikiekkojen valikoimaan, mukaan lukien:
- Tavalliset yksipuoliset kiillotetut (SSP) ja kaksipuoliset kiillotetut (DSP) kiekot
- Testaa kiekkoja ja ensiluokkaisia kiekkoja
- Silicon-on-Insulator (SOI) kiekot
- Kolikkokiekot
- Halkaisijat saatavilla 12 tuumaan asti
- Kasvumenetelmät: CZ, MCZ ja FZ
- Mukautetut vaihtoehdot: Neutronisäteilytys, mikä tahansa kristallografinen suuntaus, irtileikatut substraatit, laajat ominaisvastusalueet (korkea ja matala), erittäin litteät, erittäin ohuet ja paksut kiekot
Lisäarvopalvelut
Kiekkojen toimittamisen lisäksi kokenut tiimimme tarjoaa edistyneitä prosessointiominaisuuksia:
- Ohutkalvopinnoitus (oksidi-, nitridi-, metallikerrokset)
- Piin epitaksiaaliset kasvu- ja epitaksipalvelut (SOS, GaN, GOI jne.)
- Kiekkojen ohennus, takaisinhionta ja kuutioiminen
Erikoisvohvelit
Toimitamme myös laajan valikoiman erikoiskiteisiä substraatteja:
- Sapphire kiekkoja: 2" - 8", saatavana A-tasossa, R-tasossa, M-tasossa, C-tasossa epipolish- ja hienohiontavaihtoehdoilla
- GaAs kiekot: 2" - 8", P-tyyppi, N-tyyppi, puolijohtava ja puolieristyslaatu
- SiC kiekot: 4" - 12", 4H-N, 6H-N ja 6H-SI polytyypit
- Lasiset kiekot: 1" - 12", sulatettu piidioksidi, borofloat ja B270 materiaalit
- Yksikiteiset kvartsikiekot: 2" - 6", X-leikkaus, Y-leikkaus ja Z-leikkaus
