4,6,8 tuuman pii -kiekkovaraston päivitys _202506

Erä	TUOTE	HALKAISIJA	KRISTALLI	TYYPPI	Viiva	Suunta	PAKSUUS	Vastustuskyky
501061S	AL -AL	200	Cz	P	B	100	725±25	1~100	{{0}} a ti, jota seuraa 8000A PVD Sputtered al-Cu 0,5%
501201	Epitaksiaalinen	200	Cz	P	B	100	700~750	<0.1	P/B T1 ~ 50/R1 ~ 50, mfg 22- voi -2024
501202	Epitaksiaalinen	200	Cz	N	Ph punainen	100	700~750	0~0.05	N/ph t1 ~ 1 0/r0.01 ~ 1, mfg 27- voi -2024
522101	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	710~740	0.01~0.02
522102	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	710~740	0.009~0.02
522103	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	710~740	0.015~0.02
522104	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	705~745	0.014~0.022
522105	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	710~740	0.014~0.02
522106	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522107	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	710~740	0.0025~0.0035
522108	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±15	0.005~0.01
522109	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	710~740	0.002~0.0033
522110	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±15	0.0035~0.004
522111	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	640±13	0.012~0.0175	Lto+nolm
522112	KIILTÄVÄ	200	Naa	N	Kun	100	725±15	0.001~0.003
522113	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	111	725±15	0.005~0.01
522114	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±50	1~65
522115	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±15	Alle tai yhtä suuri kuin 40
522116	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±15	0.002~0.003
522117	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	710~740	0.0033~0.005
522118	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±15	0.003~0.004
522119	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±15	0.001~0.003
522120	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	111	725±20	0.002~0.005
522121	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±15	0.003~0.0035
522122	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±15	0.008~0.02
522123	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	725±15	0.0023~0.004
522124	Syövytetty	200	Naa	Naa	Naa	Naa	745	Naa	Lto+nolm
522125	KIILTÄVÄ	200	Cz	P	B	100	705~745	0.01~0.02	Lto+nolm
So617prau	Ruiskutettu AU	150	Cz	P	B	100	500±15	10~25	Sputteroitu ti30nm+au100nm
PS241025006	Soi	200	Cz	P	B	100	650±5	8~12	Laite: 3 0 ± 0. 5μm, 0. 0 1 ~ 0,02 ohm.cm / laatikko: 1 ± 0,1 μm, lovi<110>
503141	KIILTÄVÄ	100	Cz	P	B	110	20000±100	1~100
PS250407006	Soi	200	Cz	N	PHE	100	725±10	1~10	Laite: 2 ± 0. 5μm / laatikko: 1000 nm ± 5%
PS250407007	Soi	200	Cz	N	PHE	100	725±10	1~10	Laite: 1 0 ± 0,5 μm / laatikko: 1000 nm ± 5%
PS250407008	Soi	200	Cz	N	PHE	100	725±10	1~10	Laite: 3 ± 0. 5μm / laatikko: 1000 nm ± 5%
505061	JGS1	100					555±7		Dsp, sq ＜ 0. 5nm, 10/5, TTV<5μm, Flat 32.5mm
505301	Oksidi+nitridi	200	Cz	P	B	100	725±25	1~100	3 μm lämpöoksidi +300 nm LPCVD -nitridi
203171pw3pt	Pt	150	Cz	N	PHE	100	675±25	0.001~0.005	3000A Lämpöoksidi+Ti50nm+pt 200 nm
506162	KIILTÄVÄ	200	Cz	N	PHE	100	700~750	1000~12000	N/ph t1 ~ 1 0/r0.01 ~ 1, mfg 27- voi -2024

4,6,8 tuuman pii -kiekkovarastopäivitys _202506