Uutiset

Silicon on insulator (SOI) -kiekkoja valmistetaan kolmella ensisijaisella menetelmällä: epitaksiaalinen kerrossiirto, sidottu SOI ja pii eristeellä...

Puolijohdeteollisuudessa piikiekkoja käytetään usein useiden elektronisten laitteiden, mukaan lukien mikrosirujen, transistorien ja diodien, valmis...

Kriittinen vaihe puolijohteiden valmistuksessa on kiekkojen ohennus. Se tarkoittaa kiekon ohentamista sopivaan paksuuteen vahingoittamatta sen ohui...

Invisible scribing -tekniikka on valmistusprosessi, joka mahdollistaa materiaalin tarkan leikkaamisen sitä vahingoittamatta tai vääristymättä. Tätä...

Piikiekkojen lämpöhapetus on prosessi, jossa piikiekon pinnalle muodostuu korkeassa lämpötilassa piidioksidikerros. Tätä prosessia käytetään laajal...

Bottom-gate ohutkalvotransistorit (TFT) ovat keskeinen komponentti nykyaikaisissa elektronisissa laitteissa. TFT-rakenne koostuu puolijohdekerrokse...

Kun sula alkuainepii jähmettyy, piiatomit järjestetään kolmiulotteiseen pitkän kantaman järjestykseen timanttihilassa, jolloin niistä tulee yksikit...

Yksikiteinen pii on suhteellisen aktiivinen ei-metallinen alkuaine, tärkeä osa kiteisiä materiaaleja ja on uusien materiaalien kehityksen kärjessä....

(1) Matalat materiaalikustannukset ja valmistusprosessi Ensinnäkin amorfiset piiaurinkokennot voivat säästää paljon piimateriaalia. Amorfisella pii...

On olemassa monia menetelmiä amorfiseen piin aurinkokennoihin, mukaan lukien plasmalla tehostettu kemiallinen höyrypinnoitus, reaktiivinen sputtero...

1. Käyttäjän aurinkoenergialähde: (1) Pieni teholähde 10-100W, käytetään sotilas- ja siviilielämään syrjäisillä alueilla ilman sähköä, kuten tasang...

1. Karkaistu lasi: Sen tehtävänä on suojata sähköntuotannon pääosaa (kuten akkuja), ja valonläpäisevyyden valinnassa on vaatimuksia. Ensinnäkin val...